說明：
現代半導體制造的目標是為便攜式產品開發具有越來越小和更薄封裝的電子設備。實現這一目標最重要的步驟之一是通過機械研磨工藝將加工后的硅晶片從背面減薄至 50μm 以下。為了避免應力和亞表面損傷，這對表面粗糙度要求非常高，在最終研磨步驟中，該粗糙度可能在 1 nm Ra 的范圍內。測量這一等級的表面粗糙度的常用方法是通過共聚焦顯微鏡 (CFM)、白光干涉儀 (WLI) 或原子力顯微鏡 (AFM) 進行單點或是劃線測量。但這些儀器的缺點是對機械環境噪聲敏感，測量時間長。這里，我們將介紹一種新型的散射光測量方法，該方法能夠在不到 30 秒的時間內測量直徑300 mm整個晶圓表面。除了粗糙度，傳感器還同時測量翹曲、波紋度和缺陷。同時將展現采用不同粒度研磨表面的測試結果分析。 晶圓表面加工工藝過程極小和高密度電子產品的趨勢需要先進的工藝來滿足設備的厚度和熱性能規格。這意味著處理后的硅晶片必須從其原始厚度超過 700 µm 減薄至 50 µm 或更小。最常見且成本相對較低的減薄方法是通過機械去除殘余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盤上，IC（集成電路）面朝下。砂輪的旋轉軸與晶片的旋轉軸離軸定位（距離是晶片的半徑）。卡盤呈略呈圓錐形的形狀，以很小的傾斜度使晶片變形，以確保砂輪在研磨過程中僅接觸晶片的一半。由于卡盤的旋轉和砂輪的同時旋轉，在晶片表面上產生了典型的螺旋劃痕圖案。根據砂輪的粒度以及轉速和進給率等加工參數，這種機械沖擊是造成粗糙度、應力和誘發亞表面損傷的原因。因此，現代晶圓磨床從粗砂輪開始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂輪進行精細研磨。當減薄至 50 µm 以最大程度地減少次表面損傷和應力時，這個最終過程是絕對必要的。表面粗糙度通常應在 Ra 當前標準測量方法的局限性是砂輪與其大量單刀刃的相互作用，與硅表面經歷不均...
說明：
工業機器人各軸系的水平偏差調整測量主題工業機器人的精準程度直接依賴于每個軸系的調平情況測量任務工業機器人的各軸系的水平偏差調整測量不僅僅在生產線制造組裝結束時需要測試，在客戶現場安裝調整后同樣需要測試。根據測試結果，技術人員在客戶現場進行調整并將誤差補償存儲到過程控制系統內。解決方案將所有機械手的軸系放置到零位。配合訂制的2D雙自由度測量傳感器，可以采集該軸系在XY雙方向與工業機器人基座參考位上XY雙方向的角度偏差然后將此誤差補償存儲到過程控制系統內。
說明：
大壩的長期監測項目測量任務對于長期監測大壩的要求不斷增加的早期大壩壩體測試主要是進行定期測量，但今天越來越多的大壩從設計開始就要求進行永久監控測量目標對大壩傾斜的變化進行長期監測解決方案一個或多個ZeroMATIC傳感器安裝在水壩壩體上非常穩固的部位。這些傳感器連接到一個數據采集系統，用于數據存儲和數據傳輸。數據可在客戶自定義時間間隔內發回監測站。根據客戶測量需求ZeroMATIC 2/1的測量頻率可以設置為每小時采集一次數據ZeroMATIC 2/2的測量頻率可以設置為1Hz進行測量